历史逆转：中国厂商长江为何向三星授权存储关键技术专利，打破行业常规

长江逆流而上：揭秘向劲敌三星授权存储技术专利的背后故事

　　 2月26日的消息显示，中国公司已向三星授权重要的存储技术专利，这一情况令人深思。

　　 此前有韩国媒体报道称，三星电子最近与中国存储芯片制造商长江存储达成了专利许可协议，将从后者获取3D NAND“混合键合”专利授权。该专利涉及一种先进的晶圆级封装技术，通过将晶圆与晶圆直接键合实现。

　　 这引起了广泛的社会讨论，为何在存储技术方面一直处于领先地位的三星，还需要从长江存储获取专利授权呢？

　　 有业内人士指出，鉴于生产工艺的问题，三星可能难以避开中国企业的专利，获得授权似乎是不可避免的，未来的市场竞争可能会十分激烈。

　　 三星近日获得了长江存储的专利授权，该授权将主要用于其下一代（V10）闪存芯片的研发工作。此款芯片预计在今年下半年开始量产，堆叠层数将达到420层至430层。

　　 为了加快V10芯片的量产进程，三星采用了多种先进技术，其中晶圆与晶圆之间的混合键合技术尤为关键。 这种混合键合技术不仅能够显著提升芯片的集成度，还能提高其性能和能效比。对于三星而言，这不仅是技术上的突破，也是在竞争激烈的半导体市场中保持领先地位的重要举措。通过引入这一关键技术，三星有望加速其高端芯片的生产周期，从而满足市场对高性能计算和通信设备日益增长的需求。

　　 三星非常重视“混合键合”技术，因为这种技术省去了传统芯片连接所需的凸块，从而缩短了电路路径，提升了存储性能和散热效果。“尤其是晶圆之间的混合键合，它键合的是整个晶圆而非单个芯片，这不仅提高了生产效率，还增强了整体的工艺灵活性和稳定性。” 这种技术的发展无疑为半导体行业带来了革命性的变化，特别是在当前高性能计算和移动设备需求日益增长的背景下。混合键合技术不仅可以提升现有产品的性能，还有望开启全新的应用领域。三星在这一领域的投入和创新，将进一步巩固其在全球半导体行业的领导地位。