《告别HBM2E：三星全力进军HBM3E与HBM4新时代》

突破内存极限：三星加速迈向HBM3E与HBM4新时代

　　 4月24日消息显示，据相关报道，由于1y和1z工艺的8Gb DDR4产品逐步停止生产，三星也计划结束其HBM2E的制造，目前正处于最后的采购阶段，未来将重心转移至HBM3E和HBM4的研发与生产。

　　 近年来，随着人工智能、高性能计算以及个人电脑对高速内存需求的迅速增加，HBM内存的市场发展潜力巨大。

　　 但三星在HBM产品开发和销售上一直落后于SK海力士和美光，为了更好地与竞争对手抗衡，三星需要加快技术迭代，将资源集中到新一代产品上。

　　 除了三星外，其他内存巨头也在调整产品线。美光已告知客户，计划停止生产用于服务器的DDR4内存模块；同时，有消息称SK海力士也将减少DDR4的产量，将其生产比重降至20%。

　　 此外，中国内存厂商的快速崛起正在对三星等国际巨头形成挑战。据相关报道，由于中国厂商采取了较为激进的定价策略，2023年至2024年的内存价格大幅下滑，降幅超过了60%。这一变化不仅重塑了全球半导体市场的竞争格局，也给行业带来了深远的影响。 在我看来，中国厂商的这种定价策略既是机遇也是风险。从积极的角度看，它加速了存储芯片的普及，降低了企业和消费者的使用成本，为数字经济的发展注入了动力。然而，过低的价格可能引发市场失衡，甚至导致部分企业因无法承受价格战而退出竞争。此外，长期来看，过度依赖低价竞争可能会削弱技术创新的动力，不利于行业的健康发展。因此，如何在保持竞争力的同时注重技术突破，是中国内存厂商需要深思的问题。在全球化的大背景下，各方应携手合作，共同推动产业的可持续发展。

　　 长鑫存储已开始量产16纳米DDR5芯片，并计划于2025年将月产能提升至18万片晶圆。公司目标是在2026年进入LPDDR5和车用DRAM市场，而进军HBM领域也仅仅是时间上的问题。