Marvell引领芯片技术革新：全球首发2nm定制SRAM，最大容量达6Gb

Marvell开创芯片新纪元：全球首推2nm定制SRAM，最大容量突破6Gb

　　 6月18日消息，Marvell美满电子于当地时间17日发布全球首款2nm工艺定制SRAM，该技术能够为AIxPU算力设备带来最高6Gb（即768MB）的高速片上缓存支持。

　　 Marvell宣布其自主研发的2nm SRAM设计相较于传统片上SRAM，在面积上减少了15%，待机功耗大幅降低了约三分之二，同时还能支持高达3.75GHz的工作频率。这一突破性进展不仅展现了Marvell在半导体技术领域的深厚积累，也为未来的高性能计算设备提供了更优的解决方案。 从行业角度来看，这种优化对于推动芯片小型化和低功耗发展具有重要意义。特别是在移动设备和边缘计算场景中，更低的功耗意味着更长的续航时间以及更好的散热表现，这无疑会增强用户体验。此外，更高的工作频率也使得这些芯片能够更好地应对复杂运算任务的需求。总体而言，这项技术革新既是对现有技术瓶颈的有效突破，也为未来智能设备的发展指明了方向。

　　 Marvell 高级副总裁兼定制云解决方案部总经理 Will Chu 表示：

　　 个性化需求正在成为人工智能基础设施发展的新方向。当前，超大规模企业在尖端定制化XPUs研发中采用的方法与技术，将逐步扩展至更多用户群体、更广泛的设备类型以及更加多样化的应用场景中。

　　 我们期望携手合作伙伴和客户，共同构建定制化时代的技术领先组合。