国产DDR5内存颗粒成功突破美国封锁，良率高达80%，金百达银爵16GBDDR5 6000闪耀登场

国产DDR5内存颗粒突破封锁，高良率闪耀登场，开启全新技术革命时代！

科技快讯中文网

　　 近日，金百达和光威相继发布了采用国产芯片的DDR5内存产品，其频率均为6000MHz，单条容量为16GB，而双条套装的售价则定为499元。虽然未有明示，但种种迹象均指向长鑫存储为DDR5芯片的供应商，显然已实现大规模量产。

　　 长鑫存储此前主要生产DDR4、LPDDR4、LPDDR4X系列，采用19纳米制造工艺。2023年11月，长鑫正式推出了LPDDR5，专为移动端设计，现已正式加入DDR5的生产行列，与三星、SK海力士、美光等国际大厂齐头并进。据半导体行业知情人士透露，长鑫存储已开始量产DDR5，并已与客户展开合作，目前产品的合格率约为80%。

　　 三星和SK海力士的DDR5芯片良率在80-90％之间，这表明长鑫已经达到了国际先进水平，并且仍有提升空间。TechInsights的JeongdongChoi博士也一直在关注长鑫的DDR5产品，并希望有机会进行分析。据他所知，尽管长鑫尚未公布官方消息，但DDR5通常采用G3工艺开发，线宽为17.5纳米，而DDR4使用的则是G1工艺，线宽为22纳米，LPDDR4X则使用G1和G3工艺。

　　 值得关注的是，长鑫已被美国列入实体清单，因此无法获取与三大原厂相同的EUV光刻设备，仅能依赖现有的设备和技术。在这种条件下，长鑫能够实现DDR5的高良率量产，无疑是一项重大的技术突破。