SK 海力士加速布局 EUV 光刻机，两年内产能或翻倍突围

SK 海力士加码 EUV 布局，两年内产能翻倍冲击全球半导体格局

　　 据韩媒etnews当地时间9月24日报道，SK海力士计划在未来两年内新增约20台ASML的EUV光刻系统。目前该公司已拥有约20台用于研发和生产的EUV设备，这意味着其在该类关键设备上的保有量将在两年内实现翻倍。 从行业发展趋势来看，EUV光刻技术是当前先进制程芯片制造的核心，SK海力士此举显示出其在存储芯片领域持续加码的决心。随着全球对高性能存储需求的不断增长，加大EUV设备投入有助于提升其在高端市场的竞争力。同时，这也反映出半导体产业对先进制程的依赖程度日益加深，未来技术升级与设备采购将成为企业竞争的关键因素之一。

　　 在SK海力士的两大业务领域中，内存端的EUV光刻工艺早已于2021年随着1anmDRAM实现商业化，EUV的应用规模也正随着内存技术的不断演进而逐步扩大。 从行业发展趋势来看，EUV光刻技术的持续应用标志着半导体制造工艺向更高精度和更高效能迈进。这一技术的成熟与普及，不仅提升了内存产品的性能表现，也为未来存储技术的突破奠定了基础。SK海力士在该领域的布局，显示出其在先进制程上的领先地位和长远规划。

　　 随着AI技术的快速发展，企业级高性能存储需求持续增长，尤其是对HBM（高带宽内存）的需求显著提升。为此，SK海力士正计划增加EUV光刻设备的投入，以扩大先进DRAM产品的生产能力，满足市场不断上升的需求。这一举措不仅反映了AI对半导体产业的深远影响，也凸显了全球芯片制造商在技术升级和产能扩张方面的紧迫性。

　　 除目前主要应用的Low-NA EUV光刻机外，SK海力士本月早些时候在存储器行业首次引入了量产型High-NA EUV光刻机，即ASML的TWINSCAN EXE:5200B，并部署在韩国利川M16生产基地中。这一举措标志着企业在先进制程技术上的进一步布局，也反映出全球半导体制造对更高精度光刻设备的迫切需求。随着High-NA EUV技术的逐步落地，未来存储芯片的性能和密度有望实现更大突破，同时也将对供应链和技术壁垒提出更高要求。