AI加速未来：高性能SSD助力普及化

闪耀未来：智能SSD引领科技进步

科技快讯中文网

　　 纵观2024年，存储技术的升级确实为AI计算和云端应用带来了诸多便利。从年初铠侠推出的首款量产车规级UFS4.0开始，这一行业的发展势头就十分迅猛。随后，铠侠与RM、PM以及XG系列SSD携手与HPE合作，成功将产品送入国际空间站，这无疑展示了其在极端环境下的可靠性和先进性。此外，铠侠还推出了容量高达2Tb的第八代BiCSFLASH™QLC，进一步展示了其在下一代前瞻性的光学结构SSD领域的探索成果。这些成就不仅满足了当前的存储应用需求，也为未来的存储技术奠定了坚实的基础。 铠侠及其合作伙伴的努力不仅推动了存储行业的进步，也为我们揭示了一个更加智能、高效且可靠的未来。特别是在当前AI和云计算需求不断增长的情况下，这些技术突破显得尤为重要。它们不仅提升了现有系统的性能，还为未来的创新提供了更多可能性。

　　 更大容量的存储

　　 AI计算对企业级存储提出了更高的要求，Tera级别的大模型很容易就能填满一块30TB的企业级固态硬盘，因此更大容量的存储解决方案变得越来越必要。在今年初，铠侠正式推出了第八代BiCSFLASH™，并根据市场需求，提供了TLC和QLC两种系列产品线。

　　 QLC技术的进步使得在同一单位空间内显著提升了存储容量。第八代BiCSFLASH™ 2Tb QLC的位密度相较于铠侠当前使用的第五代BiCSFLASH™ QLC产品提高了约2.3倍，同时写入能效也提升了大约70%。此外，新的QLC产品架构允许在一个存储器封装中堆叠多达16个芯片，从而提供了业界领先的4TB容量。这种设计不仅更加紧凑，封装尺寸仅为11.5x13.5mm，厚度也只有1.5mm。 这一技术突破无疑将对存储行业产生深远影响，它不仅大幅提高了存储密度，还显著提升了能效，这对于数据中心和移动设备来说都是极大的利好。随着QLC技术的不断成熟，我们可以期待未来会有更多高性能、高密度的存储解决方案问世，这将极大地推动云计算、人工智能等领域的快速发展。

　　 这意味着，未来采用第八代BiCS FLASH QLC的存储产品在存储空间拥有质的飞跃，可以轻松将企业级SSD和数据中心级SSD容量提升至120TB以上。Pure Storage公司已经开始对第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC闪存产品展开测试，并认为利用BiCS FLASH™技术的统一全闪存数据存储平台不仅能够满足人工智能的严苛要求，还能实现极具竞争力的备份存储成本。

　　 另外，第八代BiCSFLASH™在逻辑电路方面进行了全面优化，不仅使存储密度提升了50%以上，还使得NAND I/O速度提高了60%以上，实现了高达3200MT/s的传输速率，并显著降低了读取延迟。这不仅能为数据中心和个人电脑提供更大的存储容量，还能让产品腾出更多空间，用于安置电池、个性化组件，以及实现更轻薄的设计。

　　 PCIe 5.0与EDSFF加速部署

　　 PCIe 6.0到PCIe 7.0规范愈发成熟，PCIe 5.0企业级存储也进入到了加速普及的时间点。在今年10月份，铠侠正式发布了全新XD8系列PCIe® 5.0 EDSFF（企业和数据中心标准型）E1.S固态硬盘。它是铠侠第三代E1.S固态硬盘，符合PCIe 5.0（32 GT/s x 4）和NVMe 2.0规范，并支持开放计算项目（OCP）数据中心NVMe SSD v2.5规范。

　　 PCIe 5.0提供了相对PCIe 4.0翻倍的传输效率，其高带宽和低延迟特性允许SSD在高负载场合下提供更多并发访问的可能性，更高的IOPS也允许服务器在AI、数据库、虚拟化、多媒体编辑中展现出至关重要的作用。

　　 不仅如此，当EDSFF规范与PCIe 5.0技术结合时，其性能提升显著。EDSFF规范在散热方面表现出色，这使得它在与SSD设计整合时能够实现更高的存储密度。此外，这种规范的灵活性和对Compute Express Link™ (CXL™)的支持，为未来的存储解决方案提供了更多可能性。这种配置不仅更加灵活，而且速度更快，为数据中心和高性能计算环境提供了强有力的支持。 这样的技术进步无疑将推动整个行业向前发展，尤其是在追求更高性能和更高效能比的背景下。随着数据中心需求的不断增长，EDSFF规范与PCIe 5.0的结合提供了一种有效的解决方案，既能满足当前的需求，也为未来的发展预留了空间。

　　 近日发布的铠侠XD8系列已准备好为下一代存储提供支持，该系列产品专为云和超大规模环境设计，以应对数据中心对高性能、高效率及高可扩展性的不断增长需求。借助这款新型固态硬盘，云服务提供商和超大规模企业可以优化其基础设施，在维持运营效率的同时实现卓越性能。

　　 打造未来存储

　　 在后5G信息和通信时代，AI已经开始产生前所未有的数据量。铠侠也在积极探讨前瞻性存储的更多可能性，比如例如基于相变存储原理打造的XL-FLASH存储级内存（Storage Class Memory, SCM）与CXL相结合，开发相较DRAM功耗更低、位密度更高，相较闪存读取速度更快的存储器。这不仅会提高存储器利用效率，还有助于节能。

　　 按位密度和读取时间划分的存储器类别

　　 在车规级存储领域，铠侠已经获得了汽车软件过程改进及能力评定（AutomotiveSPICE®，ASPICE）二级认证（CL2）。铠侠是首个在车规级UFS4.0产品上获得该认证的企业，这意味着铠侠的车规级UFS4.0产品已经进入了系统的项目管理和软件开发流程，以保证产品质量的一致性和可追溯性。这不仅符合汽车制造商和一级供应商对车规级UFS4.0设备严格的软件开发和质量标准要求，也预示着在未来高性能车规级多媒体系统中，铠侠的车规级UFS4.0产品将会广泛应用。

　　 另外，铠侠宣布已成功研发出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半导体晶体管DRAM）技术，这是一种创新的4F²DRAM，采用了具备高导通电流和超低漏电流特性的氧化物半导体晶体管。该技术使用InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶体管，能够显著降低漏电率，从而减少DRAM的能耗。无论是用于SSD的独立缓存还是内存产品，这项技术都有望带来高性能与低功耗兼备的产品表现。

　　 InGaZnO晶体管的(a)导通和(b)漏电流特性

　　 2025年依旧是一个充满技术挑战和创新的一年，铠侠及其合作伙伴已准备好迎接新的挑战。在人工智能加速、云计算、虚拟化应用以及数据中心部署等领域，铠侠的新存储技术和解决方案将大放异彩。与此同时，由于存储芯片性能的提升和体积的减小，笔记本电脑、手机和XR设备也将迎来更多的可能性，从而为用户带来更优质的存储体验。 随着科技的不断进步，我们有理由相信，铠侠的技术创新不仅会推动相关行业的快速发展，还将显著改善我们的日常生活。存储技术的进步对于提升设备的整体性能至关重要，尤其是在大数据和云计算日益普及的今天。此外，更小巧高效的存储芯片也意味着未来的移动设备将拥有更大的潜力，无论是处理速度还是电池寿命都将得到显著提升。这无疑是我们期待已久的好消息，也为未来的技术发展带来了无限可能。