黄仁勋访矽品精密：英伟达Blackwell芯片封装技术迎来重大革新，CoWoS-S向CoWoS-L转型！

黄仁勋亲临指导，英伟达Blackwell芯片封装技术大飞跃，CoWoS-S进化为CoWoS-L！

　　 1月17日消息，英伟达CEO黄仁勋近期参加了中国大陆地区分公司的年会。据网络传言，他原本计划访问北京和上海等地，但行程已经更改为前往台中。 从这一变动可以看出，尽管黄仁勋在中国大陆地区的分公司有重要活动，但他最终选择调整路线，这可能反映出当前一些复杂的国际关系背景下的考量。这样的调整不仅体现了企业高层在全球化运营中的灵活性，也暗示了地缘政治因素对企业高层出行安排的影响。

　　 据台媒经济日报1月16日报道，黄仁勋参加了其供应商矽品精密新工厂的揭幕仪式。在活动中，黄仁勋表示：“英伟达正在经历封装技术的转型，从之前的CoWoS-S技术逐渐转向更先进的CoWoS-L技术，这实际上要求增加CoWoS-L的产能。”

　　 注意到，早在1月13日，野村证券分析师郑明宗就已指出英伟达将会减少至多80%的采用台积电先进封装的CoWoS-S订单。而天风证券分析师郭明錤在1月15日也表示，由于英伟达Hopper架构芯片停产，2025年CoWoS-S的需求将显著减少。英伟达CEO黄仁勋的最新发言进一步印证了这一趋势。 这种减少订单的情况表明，英伟达可能正在调整其产品线以应对市场变化。尽管如此，英伟达仍然是全球领先的GPU制造商之一，其技术实力不容小觑。此次事件也反映出半导体行业竞争的激烈程度以及技术迭代速度之快。未来，如何在保证技术创新的同时有效管理供应链，将成为各大科技公司需要面对的重要课题。

　　 注：台积电将 CoWoS 封装技术划分为三种类型，分别为 CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L。

　　 CoWoS-S技术利用单片硅中介层和硅通孔（TSVs）来实现芯片与基板间的高速电信号直接传输，从而提高传输效率。然而，这项技术也面临着良率问题，导致生产成本较高。

　　 CoWoS-R采用了RDL有机中介层来替代传统的CoWoS-S硅中介层。这种设计不仅解决了因硅材料导致的良率问题，还降低了生产成本，提供了更高的灵活性。尽管RDL有机中介层在传输效率上略逊于硅中介层，但其综合优势使得它在大规模应用中更具吸引力。对于追求成本效益和高灵活性的应用场景来说，CoWoS-R无疑是一个值得考虑的选择。 这种技术上的改进反映了半导体行业在追求高性能的同时也在不断寻找平衡成本与效率的方法。随着技术的进步，我们或许可以看到更多类似的创新解决方案，以满足市场对高性能计算和成本控制的双重需求。

　　 CoWoS-L采用了局部硅互连（LSI）和RDL有机中介层，融合了CoWoS-S和CoWoS-R的优势，从而在性能和成本之间取得了平衡。英伟达的Blackwell芯片即将使用这项技术来替代成本较高的CoWoS-S封装。