美光冲刺DDR5内存市场：创新降低EUV使用，加速尖端DRAM量产

美光携手最新技术，夺目登顶DDR5内存领域

　　 3月11日消息，美光（Micron）在今年2月向英特尔（Intel）和AMD等客户交付了1γ（gamma）DDR5样品，成为行业内率先实现这一突破的企业。

　　 韩媒chosun昨日（3月10日）发布博文，报道指出美光在提交的样品中仅有一层采用了极紫外光刻（EUV）技术。据称，公司正考虑减少对EUV技术的依赖，以加快尖端DRAM的量产速度。 这一消息引发了业界对于半导体制造技术发展趋势的讨论。减少EUV技术的使用可能意味着美光在生产效率和成本控制方面的战略调整，这可能会对公司的产品竞争力产生影响。不过，这也可能是公司在现有技术条件下寻求更高效量产方法的一种尝试。未来，随着技术的进步，EUV技术的应用范围是否会有所变化，仍需持续关注。

　　 援引博文介绍，美光选择减少对 EUV 的依赖，转而更多采用成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）工艺。

　　 据ASML的资料，下一代深紫外光刻（DUV）系统采用193纳米波长的氩氟激光，能够达到38纳米的特征尺寸；而极紫外光刻（EUV）使用13.5纳米波长的光源，精度更胜一筹，但其成本也相对较高。

　　 美光表示，EUV 技术尚未完全稳定，因此仅在必要时使用，这一策略短期内可能提升量产速度，但长期来看，可能影响芯片的良率和性能。

　　 与美光不同，三星和SK海力士在DRAM技术进步中更加倚重新兴的EUV技术。三星从2020年开始在其内存制造过程中使用EUV，并打算在第六代10纳米DRAM（1c）中运用超过五层的EUV。与此同时，SK海力士也在2021年引进了EUV设备，并计划在未来的1cDRAM产品中采取相似的技术路径。

　　 尽管美光减少对EUV的使用可能在短期内降低成本，但从长远来看可能会遇到技术瓶颈。业内专家表示，ArFi工艺需要更多的工序，这可能导致良品率降低。随着EUV层次的增加，特别是超过三层之后，技术难度将会显著提升。

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