黄仁勋揭晓NVIDIA革命性新品：GAA晶体管技术引爆20%性能飞跃

黄仁勋发布颠覆性创新：GAA晶体管技术引领性能飙升20%

　　 3月30日消息，近日，在GTC2025大会的访谈中，黄仁勋提到，凭借环绕栅极（GAA）晶体管的下一代制程技术，将会使新一代GPU实现20%的性能提升。

　　 如无意外，黄仁勋提到的新一代GPU，或许指的是计划在2028年发布的Feynman。

　　 报道称，黄仁勋在问答中似乎淡化了制程节点变化的重要性，强调摩尔定律的放缓，代表着未来全新的制程技术在密度、功率和或能效方面的改进有限，预计只会带来20%左右的改进。

　　 黄仁勋提到，尽管采用先进制程技术带来的提升令人欣喜，但这些进步已不再具备颠覆性的影响力。 在我看来，这一观点深刻揭示了半导体行业当前面临的现实挑战。随着芯片制造工艺逐渐逼近物理极限，单纯依赖制程升级来实现性能飞跃的空间正在缩小。这不仅要求企业重新审视技术研发的战略方向，也促使整个产业链寻求更加多元化的创新路径，比如通过架构优化和软件协同来挖掘潜力。未来，能否在稳定制程的基础上实现软硬结合的深度创新，将成为衡量竞争力的关键所在。

　　 “我们会接受它，”他说，但表示其他因素更重要。随着AI系统的扩展，管理大量GPU的效率变得比每GPU的原始性能更重要。

　　 通常来说，NVIDIA倾向于选择台积电的次新成熟制程技术，而不是第一时间采用其最新的工艺制程。

　　 比如，NVIDIA目前正在使用台积电的4nm制程技术来生产针对消费等级以及数据中心的Ada Lovelace、Hopper和Blackwell等构架GPU，而台积电4nm节点制程本质上是5nm节点制程的改良版。

　　 NVIDIA即将推出的下一代GPU架构RuBin，预计会采用台积电的3nm工艺技术，这可能是指N3P工艺，或者是一个为NVIDIA特别定制的版本。这一进展表明NVIDIA在追求更高性能和能效方面迈出了重要一步。随着芯片制造工艺的不断进步，3nm节点不仅能够提供更强的计算能力，还可能带来显著的功耗优化。这对于需要高性能计算的应用场景尤为重要，比如人工智能、深度学习以及复杂的图形处理任务。NVIDIA选择与台积电合作，也显示出双方在尖端半导体技术上的持续投入和紧密协作，这对整个行业来说都是一个积极信号。未来，这种技术突破可能会进一步推动相关领域的创新和发展。

　　 因此，NVIDIA计划在2028年推出的Feynman架构产品，将是其首款采用GAA制程技术的芯片。

　　 黄仁勋在发布会上并未明确透露将采用哪一家的GAA制程技术，这无疑给业界留下了丰富的想象空间。无论是台积电的N2制程技术，还是三星的同类技术，甚至包括英特尔的Intel 18A，都可能是潜在的选择。这种不确定性也反映出当前半导体行业竞争的激烈程度，各大厂商都在努力争夺高端芯片制造的技术高地。 在我看来，这种选择的开放性对整个行业来说是一件好事。它不仅推动了技术创新的步伐，也让各家公司有了更大的动力去提升自身的技术水平和产品竞争力。对于消费者而言，这意味着未来可能会有更多的高性能芯片可供选择，从而带来更好的使用体验。同时，这也提醒我们，随着技术的不断进步，保持对新技术的关注和学习变得尤为重要。毕竟，在这个快速变化的时代，谁能抓住机遇，谁就能在竞争中占据优势。