三星电子计划推出升级版HBM3E芯片，预计下半年量产HBM4

三星电子再进一步：HBM4芯片即将问世，性能再升级

　　 2月2日消息，据韩联社报道，三星电子在31日的业绩电话会议上宣布，公司计划从今年第二季度末开始向主要客户供应第五代高带宽内存“HBM3E”的升级版本。此外，三星还表达了争取在今年下半年实现第六代高带宽内存“HBM4”量产的目标。 三星的这一举措不仅展示了其在高端存储技术领域的持续领先地位，同时也表明了该公司对未来市场需求的敏锐洞察力。随着数据中心、人工智能以及高性能计算等领域的快速发展，对高速、高效能的内存产品需求日益增长，三星此举有望进一步巩固其在全球半导体市场的地位。

　　 报道称，预计从本季度开始，改良版HBM3E的供应量将显著增加。三星电子去年10月宣布了改良版HBM3E的供应计划，之后美国政府出台了尖端半导体出口管制政策，促使客户逐渐转向购买改良版HBM3E。尽管这可能使得HBM总体需求有所延迟，但12层HBM3E的需求预计将从本季度开始快速增长，并且增长速度可能会超过预期。因此，三星电子计划将今年全年的HBM芯片供应量扩大到去年的两倍。

　　 针对中国企业开发的人工智能平台DeepSeek（深度求索），三星电子表示，鉴于公司为众多客户提供图像处理器所需的HBM产品，因此在积极探索各种可能性的同时，也在密切跟踪行业发展动态。

　　 注意到，此前有知情人士透露，三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片8层HBM3E。这一进展显示了三星在高性能计算领域取得了一定的进步，但同时也反映出其在高带宽内存（HBM）技术方面仍与行业领先者如SK海力士和美光科技存在一定差距。这表明，尽管三星在某些技术上已经能够与竞争对手抗衡，但在整体技术和市场布局上还需要进一步的努力。 三星此次获得批准供应HBM3E芯片，不仅增强了其在高端存储芯片市场的竞争力，也为未来的创新和发展奠定了基础。然而，面对SK海力士和美光科技等公司的强劲竞争，三星需要继续加大研发投入，以保持其在全球半导体行业的领先地位。