【突破科技前沿】SK海力士1b nm工艺16Gb LPDDR5X-10667内存正式迈入量产新时代（2024年10月）

SK海力士1b nm LPDDR5X-10667内存量产，引领存储行业进入极速新时代

　　 3月24日消息，SK海力士在近期发布的2024年12月期业务报告中提到，其基于第5代10纳米级（1bnm）工艺的16Gb LPDDR5X内存产品，已在去年4月完成开发，并于同年10月正式投入量产。这一进展标志着SK海力士在高性能存储芯片领域迈出了重要一步。 从技术层面来看，这种新一代内存不仅提升了速度与能效比，还进一步巩固了SK海力士在全球半导体市场的竞争力。特别是在当下人工智能和大数据需求激增的背景下，这类高性能内存将成为服务器、智能手机等设备不可或缺的核心组件。此外，考虑到去年第四季度全球存储芯片市场仍面临一定的下行压力，SK海力士能够在此时推出新技术并实现量产，无疑为其后续业绩增长注入了信心。 展望未来，随着更多终端设备对高带宽、低延迟存储解决方案的需求增加，相信SK海力士将继续加大研发投入力度，以保持行业领先地位。同时，这也提醒我们，技术创新依然是驱动整个半导体产业持续发展的关键动力。

　　 SK海力士推出的1bnm工艺16Gb LPDDR5X芯片，运行速率达到了10.7Gbps（即10667MT/s），相比上一代9.6Gbps的LPDDR5T，速度提升了大约10%，而在能效方面则提升了15%。

　　 SK海力士宣布将通过SOCAMM和LPCAMM模组形式，面向服务器和PC市场推出LPDDR5X产品，以满足AI计算对高速DRAM的需求。