长江存储崛起倒计时,2026年或改写全球NAND格局
7月22日,台媒《电子时报》报导指出,长江存储正逆势加大生产力度,其NAND产品今年在国内市场的占有率有望达到约三成,而到2026年底,该企业在全球NAND闪存产业中的产能占比预计可提升至15%。
报道指出,长江存储正在加快推动半导体设备的国产化进程,以减少对国外供应商的依赖。由于闪存等存储类半导体与逻辑类半导体在工艺上存在差异,因此实现全面替代的难度相对较低。目前,公司在蚀刻和沉积工艺方面已成功突破关键技术瓶颈。
据称,长江存储首条完全采用国产设备的NAND生产线将于本年下半年开始试运行,随着产能逐步提升,有望在2026年实现全面投产。 当前,国内半导体产业正加速突破关键技术壁垒,这条生产线的启动标志着我国在存储芯片领域自主化进程迈出重要一步。虽然距离大规模量产仍需时间,但其意义不仅在于产能的提升,更在于技术自主可控能力的增强。未来,随着产业链协同效应的显现,国产存储芯片的市场竞争力有望进一步提升。
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