三星重磅推出 2028 年LPW DRAM内存：I/O 速度飙升166%，助力端侧AI智能革新

三星震撼发布未来之星：LPW DRAM内存助力AI智能飞速发展

　　 2月19日消息，据韩媒SEDaily现场采访报道，三星电子DS部门首席技术官宋在赫于美国加州旧金山当地时间17日在IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议全体会议上表示，首款专门针对设备端AI应用优化的LPW DRAM内存产品将于2028年推出。

　　 LPW是LPDDR Wide-IO的简称，这种移动端内存产品旨在通过增加更多的I/O通道来实现更高的带宽目标，同时降低每个通道的数据传输速率，从而达到低功耗的效果。这样的设计思路不仅满足了移动设备对高性能的需求，同时也兼顾了能耗控制，为智能手机和平板电脑等设备提供了更优的选择。这种技术的进步反映了当前半导体行业对于如何在提高性能的同时减少能源消耗的关注，显示出未来移动设备的发展趋势将更加注重能效比和多任务处理能力。 这样的设计理念值得肯定，它既考虑到了用户对设备运行速度的要求，也充分考虑到延长电池寿命的重要性。未来，我们期待看到更多类似的创新技术出现，进一步推动移动设备性能与能效的双重提升。

　　 此外，LPWDRAM在架构上对多层DRAM堆栈的组合进行了创新：它采用了集成RDL（重布线层）的垂直引线键合技术，替代了现有的传统引线键合方法，从而实现了更紧凑的封装尺寸和更高的能效表现。

　　 三星电子近日宣布，其最新的LPDDR5X内存带宽达到了200GB/s以上，相较于现有的LPDDR5x提升了166%。此外，该款LPDDR5X的功耗也显著降低至1.9pJ/bit，相比LPDDR5x减少了54%。 这一突破性的进展不仅展示了三星在半导体技术领域的持续领先地位，也预示着未来移动设备性能的显著提升。更高的带宽意味着手机和平板电脑等设备可以更快地处理数据，从而提高整体运行效率。而更低的功耗则有助于延长电池寿命，这对于用户来说无疑是个好消息。这不仅满足了消费者对于高性能设备的需求，也为未来的创新应用提供了更广阔的空间。