SK海力士宣布全球首款超越300层！321层NAND闪存正式批量生产

SK海力士突破技术极限！全球首款321层NAND闪存震撼登场，引领存储革命！

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　　 11月21日，SK海力士正式宣布启动全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存的量产工作。 这一里程碑式的进展标志着存储技术又一次重大突破。SK海力士作为行业内的领军企业，在高密度存储解决方案上取得了显著成就。321层的设计不仅大幅提升了存储容量，还优化了读写速度和能效比，这无疑将为未来的数据中心、智能手机及其他智能设备带来更加高效、可靠的存储选择。随着5G、人工智能等技术的快速发展，对大容量、高速度存储的需求日益增长，这款新型NAND闪存在市场上的前景十分广阔。

　　 SK海力士宣布，公司自2023年6月开始量产上一代238层NAND闪存，并已向市场供货。此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术限制，还率先实现了超过300层NAND闪存的大规模生产。

　　 公司计划自明年上半年开始向市场推出321层的产品，以更好地迎合消费者的需求。 这一决策表明公司对市场的深刻理解和积极应对态度。面对日益增长的技术需求和市场竞争，公司选择提前布局，通过提供更高层次的产品来巩固其市场地位。此举不仅体现了公司在技术创新方面的持续投入，也显示了其对客户需求变化的敏锐洞察力。然而，如何确保新产品能够顺利地被市场接受，并且在技术上保持领先优势，将是公司在接下来的时间里需要重点关注的问题。

　　 在产品开发过程中，SK海力士使用了与238层产品相同的开发平台，从而最大程度地减少了工艺切换带来的影响，使生产效率提升了59%。

　　 与前一代产品相比，321层NAND闪存的数据传输速度提升了12%，读取性能提高了13%，并且数据读取的能效提升了10%以上。

　　 SK海力士NAND开发负责人朱刚达表示：“最新的进展让公司更接近于成为以AI数据中心和终端AI的固态硬盘（SSD）为代表的AI存储市场的领导者。”