三星电子突破创新：1b DRAM性能提升，提高良率

三星电子领先业界，突破创新，再次刷新1b DRAM性能，实现双提升

　　 1月22日消息，据消息源DigiTimes今日报道，三星电子已正式否认了有关公司正在重新设计其第五代10nm级DRAM（即1bDRAM）的传闻。尽管市场上对于这一新型内存技术有着诸多期待，但三星方面表示目前仍在专注于优化现有的10nm级DRAM生产线，以确保产品的稳定性和性能。 这种官方回应不仅澄清了近期业界流传的一些不确定信息，也向市场传递了一个明确的信号：在推动新技术落地的同时，三星依然重视现有产品线的持续改进和稳定性。这或许表明，未来一段时间内，我们可能不会看到基于全新设计的10nm级DRAM产品的快速更迭。

　　 据报道，三星电子近期因12nm级DRAM内存产品的良率和性能问题，计划在2024年底前采取双管齐下的策略：一方面改进现有的1bnm工艺，另一方面重新设计全新的1bnm DRAM。 这一决策反映了三星在高端内存市场竞争中的压力与挑战。面对技术瓶颈和产品质量问题，三星选择主动出击，这表明公司高层对于技术革新的重视以及对市场趋势的敏锐洞察。三星此举不仅是为了应对当前的技术难题，也是为了在未来继续保持其在全球半导体行业的领先地位。

　　 市场观察人士表示，三星调整1b DRAM设计的决定可能是由于竞争压力所致。SK海力士和美光已经在其HBM产品中采用了1b DRAM，而三星仍然在使用旧版的1a DRAM。

　　 此外，据报道，三星启动了名为“D1b-p”的研发计划，目标是增强其DRAM业务的市场地位。“p”代表“prime”，意味着顶尖的品质。该计划主要聚焦于提升能源效率和散热性能。

　　 尽管三星在全球DRAM领域占据领先地位，但目前正受到SK海力士和美光的挑战。这两家公司均已成功实现1b DRAM的商业化，而SK海力士更是在2024年8月率先完成了1c DRAM的研发。

　　 有消息称，三星 Galaxy S25 系列智能手机即将发布，美光将成为其主要的移动 DRAM (LPDDR5) 供应商。这被认为是由于三星尚未完全解决 1b LPDDR5X 的良率和散热问题。

　　 三星通过该渠道进行了否认，表示有关报道不属实。此事件引起了业内的高度关注，彰显了存储芯片市场激烈的竞争态势。

　　 尽管三星官方否认了重新设计的传闻，但业内消息人士透露，三星旨在提高1b DRAM的性能和良率。据说，此次改进涉及工艺上的调整，这将是一个成本高且复杂的项目。为此，三星已经紧急采购相关设备，并计划在2024年底之前完成安装与测试。更新后的1b DRAM预计将在2025年第二或第三季度开始量产。