三星芯片部门负责人携1b DRAM样品访问英伟达，积极推动合作赢取HBM3E订单

三星芯片部门负责人携1b DRAM样品亮相英伟达，合作探索HBM3E新时代

　　 2月18日消息，据TheElec报道，三星半导体业务的负责人近日亲自前往美国英伟达公司总部拜访。此次访问旨在向英伟达呈现三星最新开发的1b DRAM芯片样品，该芯片主要针对高带宽内存（HBM）应用。

　　 消息人士透露，英伟达曾在去年要求三星改进其1b DRAM的设计，此次展示的样品正是基于英伟达的要求而改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为少见，这表明此次改进可能具有非同寻常的意义，或者双方的合作关系正在进入一个新的阶段。英伟达对存储技术的重视以及与三星合作的深度由此可见一斑。这不仅体现了两家公司在技术创新上的紧密合作，也可能预示着未来在高性能计算和数据中心领域会有更多的突破。

　　 注意到，去年，三星曾计划利用1b DRAM生产HBM，但由于良品率低和过热问题，这一计划受阻。该DRAM为第五代10纳米产品，主要应用于HBM3E。鉴于这些问题，三星原计划转而使用1a DRAM（1b DRAM的前一代产品）来生产HBM3E8H和12H，并打算跳过1b DRAM阶段，直接采用1c DRAM来生产HBM4。然而，由于英伟达坚持要求使用1b DRAM，三星不得不重新调整其计划。因此，三星副董事长兼DS部门负责人YoungHyunJun近期访问英伟达，很可能旨在确保三星能够获得英伟达的HBM3E订单。

　　 目前，三星的对手SK海力士已开始向英伟达提供基于1b DRAM制造的HBM3E12H，而美光也计划不久后开始生产针对英伟达人工智能加速器所需的HBM产品。

　　 上个月，三星表示其“升级版”HBM3E的开发工作进展顺利，并计划在今年第二季度开始量产和供货。YoungHyunJun不仅担任DS部门的负责人，还负责该部门下的内存业务。作为DRAM领域的专家，他被认为主导了1b DRAM的设计优化工作。

　　 在1月份的CES展会上，英伟达CEO黄仁勋指出，为了获得英伟达的认证，三星有必要对其HBM进行重新设计。