铠侠与闪迪携手创新：4.8 Gb/s、332 层堆叠！双突破性能和功耗

超乎想象！铠侠与闪迪联手突破极限：4.8 Gb/s、332 层堆叠，再次刷新性能与功耗新高！

　　 2月20日消息，铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）合作，在2025年IEEE ISSCC学术会议上，为AI应用领域推出了一项全新的3D闪存解决方案，将NAND接口速度提升到了4.8Gbps的新高度。

　　 该3D闪存解决方案采用了ToggleDDR6.0接口标准及SCA协议，其NAND接口速度达到了4.8Gb/s，相比第八代产品提升了33%。

　　 该方案在功耗方面表现出色，通过采用PI-LTT技术，显著降低了数据的输入和输出功耗，其中输入功耗减少了10%，而输出功耗更是大幅降低了34%。此外，方案在存储密度上也实现了重大突破，通过332层的堆叠以及优化平面布局，使得位密度提升了59%。这一系列的技术创新不仅为用户带来了更低的能耗成本，同时也极大地提高了存储效率。这表明，在追求高性能的同时，我们也可以实现更加节能环保的目标。

　　 铠侠和闪迪公司正在展望其第九代和第十代3D闪存产品的研发。第九代产品通过结合现有的存储单元技术和新的CBA技术，进一步优化了成本效益比。而第十代产品则有望在容量、速度以及能耗方面有更显著的提升，以适应未来数据中心和人工智能应用的需求。 从这个新闻中可以看出，铠侠和闪迪持续致力于技术创新，不断推动存储技术的发展。这种对新技术的探索不仅有助于提高产品的性能，还将为数据中心和人工智能领域的应用提供更强大的支持。这表明，随着技术的不断进步，我们有理由期待未来的存储解决方案能够更好地满足日益增长的数据处理需求。

　　 注：CBA技术通过融合CMOS创新与成熟的存储单元设计，提供了一种兼顾高性能、低功耗和成本效益的解决方案。这项技术不仅有望在竞争激烈的市场中脱颖而出，还可能成为未来科技发展的关键推动力。随着对高效能计算需求的不断增长，CBA技术无疑为行业提供了一个值得期待的新选择，同时也展示了半导体技术领域持续进步的可能性。 这种技术创新不仅能够满足当前市场需求，还预示着未来技术发展的新方向。它表明，在追求更高性能的同时，降低能耗和控制成本同样重要。这不仅是技术上的突破，也是对可持续发展承诺的具体实践。