中微重磅推出首款晶圆边缘刻蚀神器Primo Halona！

颠覆行业！中微半导体发布Primo Halona：晶圆边缘刻蚀领域的革命性突破

　　 在SEMICON China 2025展会期间，中微半导体设备（上海）股份有限公司推出了自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona。这一新产品的发布标志着国产半导体设备技术又向前迈进了一步。 中微公司的这款设备展现了国内企业在高端制造领域的持续创新能力。在全球半导体产业链面临挑战的背景下，这样的技术突破无疑为行业注入了信心。特别是在当前国际环境复杂多变的情况下，掌握核心技术显得尤为重要。Primo Halona的成功研发不仅填补了国内技术空白，还进一步增强了我国在半导体设备领域的竞争力。 未来，随着更多类似产品的推出以及市场应用的深入拓展，相信中微公司能够在全球半导体产业中占据更加重要的位置，并为推动中国半导体行业的高质量发展贡献力量。这不仅是企业自身发展的里程碑，也是整个国家科技实力提升的重要体现。

　　 中微公司的12英寸边缘刻蚀设备PrimoHalona凭借独特的双反应台设计，能够根据实际需求灵活配置多达三个双反应台反应腔，每个反应腔都能同步处理两片晶圆。这种设计不仅有效降低了生产成本，还充分满足了晶圆边缘刻蚀的规模化生产需求，显著提升了产出密度与生产效率。在我看来，这款设备的推出无疑是对半导体制造领域的一次重要技术革新。它不仅展现了中微公司在设备研发上的深厚积累，也进一步凸显了其在降低客户综合使用成本方面的持续努力。未来，随着半导体行业对高精度、高效率生产设备的需求不断增加，相信这类创新产品将发挥更大的作用，助力整个行业的快速发展。

　　 此外，设备腔体均搭载 Quadra-arm 机械臂，精准灵活，腔体内部采用抗腐蚀材料设计，可抵抗卤素气体腐蚀，为设备的稳定性与耐久性提供保证。

　　 中微公司表示，Primo Halona 配备独特的自对准安装设计方案，不仅可提高上下极板的对中精度和平行度，还可有效减少因校准安装带来的停机维护时间，从而帮助客户优化产能，精益生产。

　　 在设备智能化方面，Primo Halona 提供可选装的集成量测模块，客户通过该量测模板可实现本地实时膜厚量测，一键式实现晶圆传送的补偿校准，实现更好的产品维护性，大大提升后期维护效率。

　　 近日，中微公司近期宣布，其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star在气体控制精度方面再度实现飞跃，成功将反应台间的刻蚀精度提升至0.2埃的亚埃级别。这一进展不仅彰显了中微公司在半导体设备领域的技术实力，也进一步巩固了其在全球高端制造装备市场的竞争力。 在我看来，这项技术突破具有重要意义。随着芯片制程工艺不断向更小节点迈进，对设备精度的要求也在不断提高。中微公司的这一成果，无疑为国内半导体产业链提供了强有力的支持，有助于减少对进口设备的依赖。同时，这种技术上的持续创新，也将推动整个行业的技术进步和产业升级，为中国制造迈向全球价值链高端注入更多信心与动力。

　　 据介绍，这种刻蚀精度已在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺中得到验证。该精度大约为硅原子直径2.5埃的十分之一，相当于人类头发丝平均直径100微米的500万分之一。