《SK海力士1cnm DRAM内存良率达80%，量产在即！》

突破技术壁垒！SK海力士1cnm DRAM内存良率高达80%，商业化进程加速

　　 2025年4月8日消息，韩国媒体《hankooki》于4月3日报道，SK海力士的第六代10纳米级（1cnm）DRAM内存生产工艺近期的良品率已达到约80%，较去年下半年的六成水平有了显著提高。

　　 SK海力士的1cnm制程工艺正在逐步成熟，通常情况下，当DRAM内存的良品率达到80%到90%时，就意味着可以进入大规模量产阶段。这表明SK海力士在这一技术领域已经接近能够稳定供应市场的水平。从行业角度来看，这种技术水平的突破不仅意味着企业在技术研发上的巨大进步，也反映了全球半导体市场竞争的激烈程度。对于SK海力士来说，能否顺利实现大规模量产，不仅关系到其在全球市场中的地位，也将直接影响其未来的盈利能力和发展空间。因此，接下来如何进一步提升良品率以及应对后续的技术挑战，将是该公司需要重点关注的问题。

　　 SK海力士于去年8月宣布成功研发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM。这一制程节点是对1b DRAM平台的进一步拓展，不仅提升了生产效率，还在运行速度和能效上实现了优化。除了DDR5之外，LPDDR6和GDDR7等产品也计划采用该制程技术。

　　 SK海力士的第六代10纳米级工艺在需求旺盛的HBM领域仍需较长时间才能实现应用。据消息透露，今年内SK海力士计划量产的HBM4内存，依旧会采用其更为成熟的1anm DRAM技术。这一决策表明，尽管公司在先进制程研发方面取得了显著进展，但在高带宽内存（HBM）这类对性能要求极高的产品线中，稳定性和成熟度依然是优先考量的关键因素。 从行业角度来看，这种选择既体现了技术迭代中的谨慎态度，也反映了市场需求的复杂性。尤其是在高性能计算和AI加速器等应用场景下，HBM产品的可靠性至关重要。同时，这也意味着SK海力士需要在短期内平衡好技术创新与市场接受度之间的关系，以确保在激烈的市场竞争中继续保持领先地位。未来，随着第六代工艺逐步完善，相信其将在后续的产品升级中发挥更大作用。