三星1纳米DRAM良率大跃升，设计革新成关键突破口

三星1纳米DRAM良率突飞猛进，设计革命引领存储新纪元

　　 6月24日，据韩媒SEDaily当地时间本月19日报道及另一家韩媒MK今日消息，三星电子第六代10纳米级（即1cnm）DRAM内存工艺在设计优化等因素的推动下，良品率显著提高。

　　 据SEDaily报道，三星去年1纳米内存的良率还未能达到30%，但到了今年5月的性能测试中，良率已提升至50%至70%；MK方面也提到近期良率超过了60%。

　　 两家韩媒指出，芯片良率的显著提升得益于设计上的重大调整。尽管这一变动可能导致量产时间有所推迟，但从技术角度来看，实现了明显的进步。 我认为，这种设计上的大胆调整反映出企业在面对技术瓶颈时的主动应对，虽然短期内可能带来生产节奏的波动，但从长远来看，有助于提升产品竞争力和核心技术的自主性。这种技术层面的突破，值得肯定。

　　 由于在HBM市场上的表现不佳，三星电子在2025年第一季度将DRAM内存营收第一的位置让给了SK海力士。考虑到三星的HBM4内存采用的是1cnm工艺，该工艺良率的提升有望为三星的复苏奠定坚实基础。