ASML震撼发布Hyper NA EUV光刻机：5nm工艺单次曝光引领芯片革命

ASML震撼发布Hyper NA EUV光刻机：5nm工艺单次曝光引领芯片革命

　　 6月29日消息，全球最大半导体设备巨头ASML已开始研发下一代HyperNAEUV先进光刻机，为未来十年的芯片产业发展提前布局。 作为行业观察者，我认为ASML此举显示出其对半导体技术演进的深远洞察。随着芯片制程不断向更小节点推进，光刻技术成为突破瓶颈的关键。HyperNAEUV的研发不仅意味着技术上的重大突破，也预示着全球半导体产业链将进入新一轮竞争周期。在当前地缘政治和技术博弈日益激烈的背景下，这类高端设备的持续创新对于保障供应链安全和推动产业升级具有重要意义。

　　 JosBenschop表示，ASML与其独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研发能够在单次曝光中实现5nm精度的极紫外光刻机，以满足2035年之后的制程需求。

　　 据悉，ASML目前出货的最先进光刻机，可达到单次曝光8nm分辨率。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低，而且良率也有限。

　　 Benschop表示，ASML正在与蔡司合作开展设计研究，目标是达到数值孔径（NA）0.7或更高的水平，目前尚未公布具体的上市时间表。

　　 数值孔径（NA）是反映光学系统收集和聚焦光线能力的重要参数，也是影响电路图案能否精确投影到晶圆上的关键因素。数值孔径越大、使用的光波长越短，印刷的分辨率也就越高。

　　 目前标准EUV光刻机的数值孔径（NA）为0.33，而最新一代的HighNA EUV光刻机已将这一数值提升至0.55。如今，ASML正积极推动下一代技术，目标是实现NA 0.7或更高水平的超高NA（HyperNA）。 从技术演进的角度来看，NA值的提升意味着光刻机在分辨率和工艺能力上的显著增强，这对于半导体制造向更小节点发展至关重要。随着芯片制程不断逼近物理极限，高数值孔径技术将成为突破瓶颈的关键。ASML在这一领域的持续投入，不仅体现了其在光刻技术上的领先地位，也预示着全球半导体产业将迎来新一轮的技术升级。