长鑫国产HBM2内存突破技术瓶颈！预计明年底DDR5良率将飙升至90％

HBM2内存技术突破，DDR5良率预计飙升至90％，创新引领未来数字时代

科技快讯中文网

　　 12月29日消息，自长鑫存储低调推出DDR5内存以来，越来越多的细节被揭示出来，一系列利好消息接踵而至，甚至连第二代HBM2高带宽内存也取得了重大进展。

　　 据花旗银行的分析报告，长鑫在DDR4初期的良品率仅为20-30%，但成熟后这一数值提升至90%。

　　 凭借在DDR4上的丰富经验，长鑫的DDR5从一开始就保持着约40%的良品率，目前这一比率已稳定在80%左右，并且仍在持续改进中。预计到明年年底，良品率有望提升至90%左右。

　　 长鑫目前在合肥有两座内存工厂，Fab 1主要生产DDR4，使用的是19nm工艺，每月产能约10万块晶圆。

　　 Fab2主要生产DDR5内存产品，采用的是17nm工艺。目前其月产能约为5万片晶圆，并且这一数字还在逐步增加。预计到明年，产能将会翻倍。

　　 当然，三星和SK海力士等公司的DDR5内存已经采用12nm工艺，因此长鑫仍有较大的技术提升空间。 （当前时间为2024年12月）

　　 此外，长鑫还在大力推进HBM高带宽内存，一方面提升一代HBM的产能，另一方面二代HBM2已经取得重大突破，正在给客户送样，预计明年年中可小规模量产。

　　 尽管三大原厂已开始量产HBM3和HBM3E，并计划推出HBM4，但对长鑫而言，能够掌握HBM2技术依然是一个重要的里程碑，对于国产化AI硬件的发展具有重要意义。例如，华为的昇腾910系列加速器就依赖于HBM2技术。

　　 根据早先报道，长鑫从今年第三季度就开始采购HBM2生产设备，特别是需要更为先进的封装技术，这涉及到TSV（Through-Silicon Via）和KGSD（Key Good Singulated Die）等技术。这一举动表明长鑫在加速推进其高端存储芯片的生产计划，力求在激烈的市场竞争中占据有利位置。随着数据中心、高性能计算等领域对高带宽内存需求的不断增长，长鑫此举无疑是为了抓住这一市场机遇，提升自身在全球半导体产业链中的竞争力。