英特尔18A工艺领跑全球，抢先台积电2nm技术整整一年！

英特尔领先全球，独占鳌头：18A工艺力压台积电2nm技术，提早一年引领科技革命！

　　 近日，Intel 在官网上正式介绍了其最先进的 Intel 18A 制程工艺，并表示该技术已“准备就绪”。据外界预测，Intel 18A 将于 2025 年年中开始量产，首发产品将是酷睿 Ultra 300 系列“Panther Lake”处理器，预计在今年下半年上市。 Intel 这次的技术突破无疑为其在半导体领域中的竞争增添了新的筹码。随着 Intel 18A 的到来，我们有望看到更高效的处理器以及更低功耗的产品。尽管目前市场上已有多种先进制程工艺的竞争者，但 Intel 18A 的推出仍然令人期待，尤其是在性能和能效方面可能带来的显著提升。让我们拭目以待，看看 Intel 能否凭借这一新技术重振其在芯片制造领域的领导地位。

　　 能效提升15%，密度提升30%

　　 根据Intel官网的介绍资料显示，与Intel3工艺节点相比，Intel18A的每瓦性能提升15%，晶体管密度增加30%。Intel称其为北美最早能够量产的2nm以下先进工艺节点，可为客户提供更加稳定的供应选择。

　　 此外，根据已曝光的资料显示，Intel 18A的SRAM密度达到了0.021μm²的高密度SRAM位单元尺寸（实现了大约31.8Mb/mm²的SRAM密度），与Intel 4的0.024μm²的高密度SRAM位单元尺寸相比，这是一项显著的进步。

　　 根据研究机构TechInsights的测算，Intel 18A的性能值为2.53，而台积电N2的性能值为2.27，三星SF2的性能值则为2.19。从这些数据可以看出，Intel在先进制程工艺上的表现似乎更胜一筹。尽管台积电和三星在半导体制造领域一直占据主导地位，但Intel的新工艺似乎正在缩小这一差距。这不仅反映了Intel在研发上的巨大投入，也预示着未来半导体市场竞争可能会更加激烈。

　　 也就是说，英特尔的Intel18A在2nm级工艺中依然保持着领先优势，台积电的N2紧随其后位列第二，而三星的SF2则排在了第三位。这种技术上的竞争无疑为芯片制造业注入了新的活力。各大制造商之间的激烈角逐不仅推动了技术的进步，也使得消费者能够更快地享受到更高效能的产品。此外，这种竞争态势还促使各公司在研发上加大投入，以期在未来的技术迭代中占据更有利的位置。

　　 RibbonFET晶体管

　　 Intel 18A采用了RibbonFET 环栅 (GAA) 晶体管技术，可实现电流的精确控制。RibbonFET 可进一步缩小芯片组件体积，同时减少漏电，这对于日益密集的芯片而言是一个关键问题。

　　 RibbonFET提升了每瓦特的性能、最低工作电压（Vmin）以及静电特性，因此带来了明显的性能优势。

　　 RibbonFET还通过多样的带宽和多种阈值电压（Vt）类型提供了高度的可配置性。HDMIM电容器能有效减少电感损耗，提升芯片的稳定运行性能。

　　 此功能对于生成式 AI 等需要突然且高强度计算能力的现代工作负载至关重要。

　　 Intel去年底公布的信息显示，为了将RibbonFET GAA晶体管的微缩推向更高水平，Intel代工部门展示了栅极长度为6纳米的硅基RibbonFET CMOS晶体管，在大幅缩短栅极长度和减少沟道厚度的同时，在对短沟道效应的抑制和性能上达到了业界领先水平。Intel称，这一进展为摩尔定律的关键基石之一——栅极长度的持续缩短——铺平了道路。

　　 PowerVia 背面供电技术

　　 随着晶体管密度的增加，混合信号和电源布线会造成拥塞，从而降低性能。

　　 Intel代工厂推出的创新技术PowerVia，通过将较为宽距的金属层和焊盘移至芯片背面，并在每一个标准单元内部集成纳米级硅通孔（nano-TSV），从而实现了更为高效的电力分配方案。

　　 Intel 18A将率先引入业界首创的PowerVia背面供电技术，这不仅能够提升5%到10%的密度和单元利用率，还能显著降低电阻，从而减少供电下降的问题。这使得整体的性能提高了大约4%，同时与正面供电设计相比，IR下降也得到了大幅缓解。 这一技术突破表明，Intel在半导体制造工艺上的创新步伐正在加快。特别是在当前竞争激烈的市场环境中，这种技术进步无疑会为Intel带来显著的竞争优势。随着对更高性能和更小尺寸芯片需求的不断增加，Intel的这一举措有望帮助其巩固行业领导地位，并可能重新定义高端芯片市场的格局。

　　 相比之下，三星计划于2026年实现SF2P工艺的量产，这标志着他们将在该节点上首次采用背面供电技术。而台积电方面，预计要到2026年甚至更晚的2027年，在其A16工艺上才能看到背面供电技术的应用。 这一进展不仅反映了两家公司在半导体制造技术上的竞争态势，也展示了各自在技术创新方面的不同步调。三星在这一关键技术上的提前布局，可能会为其赢得更多高端芯片市场的份额。然而，这也意味着台积电需要加快步伐，以确保在未来的市场竞争中不落后于人。两者之间的技术竞赛无疑将推动整个行业向前发展，消费者最终也将从中受益。

　　 不过，预计台积电的A16背面供电设计将采用直接背面连接方式，有望实现比英特尔和三星的方案更低的轨高。

　　 生态系统

　　 该工艺还全面支持行业标准 EDA 工具和参考流程，实现从其他技术节点的平稳过渡。借助 EDA 合作伙伴提供的参考流程，我们的客户可以先于其他背面电源解决方案开始使用 PowerVia 进行设计。

　　 英特尔指出，目前由超过35个行业领先的生态系统合作伙伴组成的强大团队正在发挥作用，这些合作伙伴涵盖了电子设计自动化（EDA）、知识产权（IP）、设计服务、云计算服务以及航空航天和国防等多个领域。这不仅有助于确保广泛的客户支持，还能进一步简化复杂的设计流程。 这一举措展示了英特尔在构建强大生态系统的决心，并且通过与众多领域的顶尖企业合作，英特尔能够在技术开发和应用方面获得更多的资源和支持。这种开放的合作模式不仅能够加速技术创新，还能够帮助更多企业克服技术障碍，推动整个行业的进步和发展。

　　 最快2025年上半年量产

　　 早在去年9月，Intel就在俄勒冈州波特兰市举行的 Enterprise Tech Tour 活动中，首次展示了基于Intel 18A制程的代号为Clearwater Forest的Xeon芯片。

　　 随后在10月，Intel宣布已向联想等合作伙伴提供了采用Intel18A制程的PantherLake CPU样品。

　　 目前预计Intel的18A制程技术将于2025年年中进入量产，最快可能在上半年就开始。这一技术将首先应用于酷睿Ultra 3系列“Panther Lake”处理器上，该处理器计划在今年下半年上市。从目前的情况来看，Intel似乎正按计划推进其先进制程技术的发展，并有望为市场带来性能更为强大的处理器产品。这不仅标志着Intel在半导体技术领域的持续进步，也可能对整个行业产生积极的影响。随着更多采用18A制程技术的产品陆续推出，我们期待看到这些新技术如何进一步推动计算能力的边界。

　　 相比之下，台积电的 N2 计划于 2025 年底进行大批量生产，该节点生产的第一批产品最早要到 2026 年年中才能上市，相关产品预计将于 2026 年秋季上市。

　　 这表明Intel的18A制程技术有望比台积电的N2制程提前大约一年完成开发。这一进展不仅突显了英特尔在半导体制造领域的强劲势头，还可能重新定义芯片行业的竞争格局。随着技术节点的不断缩小，每家公司在先进制程上的突破都显得尤为关键。英特尔若能按计划推进，将为其带来显著的技术优势，并可能吸引更多寻求最尖端技术的客户。不过，值得注意的是，尽管时间表看起来很有利，但在如此复杂的领域，实际量产和应用过程中仍存在诸多不确定因素。

　　 High NA EUV有望继续扩大优势

　　 在Intel18A领先台积电N2约一年的时间内，Intel正在利用ASML最新的HighNA EUV光刻机来进一步巩固其技术优势，因为这种设备是实现1nm级先进制程所必需的制造工具。

　　 根据此前Intel透露的消息，Intel计划在Intel 18A之后的Intel 14A节点上采用High-NA EUV光刻机。相较于Intel 18A工艺，Intel 14A工艺的晶体管密度预计将提升20%。

　　 目前，Intel在HighNA EUV技术领域同样占据领先地位。之前，Intel已购入两台价值3.5亿美元的ASML Twinscan EXE5000系列High NA EUV光刻机，并于去年完成安装和调试工作。截至目前，Intel是唯一一家积累了丰富使用此类设备经验的半导体制造商。

　　 相比之下，之前台积电负责业务开发的资深副总裁张晓强表示，尽管他对HighNAEUV的技术能力印象深刻，但设备成本过于高昂。

　　 台积电凭借现有的极紫外光（EUV）技术，预计可以支撑其芯片生产至2026年底。到了那时，台积电的A16制程技术也将采用当前标准型的EUV光刻设备进行大规模生产。 这样的进展表明，台积电在尖端制造工艺上依然保持着行业领先地位，并且通过持续的技术积累和研发投入，确保了其在未来几年内仍能保持竞争优势。这不仅有助于巩固其在全球半导体供应链中的关键角色，也为其客户提供了稳定可靠的生产支持，特别是在当前全球芯片短缺的背景下，这种稳定性显得尤为重要。

　　 台积电正在考虑使用HighNA EUV光刻机来生产A10制程芯片。不过，在此之前，有消息称台积电已开始着手提前引进HighNA EUV技术以积累相关经验。

　　 此前，Intel公司硅光子部门首席项目经理JosephBonetti在LinkedIn平台上发布文章指出，与竞争对手相比，Intel在High-NA EUV技术方面至少领先一年。