三星发布革命性HBM4E内存：单堆栈容量飙升至64GB，带宽再创新高超越HBM4 25%

三星推出突破性HBM4E内存：64GB大容量与带宽提升30%引领存储新时代

　　 2月24日消息，据韩媒SEDaily报道，在IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议现场的采访中，三星电子分享了其HBM（高带宽内存）内存的未来规划，并透露了预期的性能指标。 此次披露的信息不仅展示了三星在前沿技术领域的持续投入，也反映了全球半导体行业对于提升数据处理能力的不懈追求。通过不断优化HBM内存技术，三星有望进一步巩固其在全球高端存储芯片市场的领导地位。同时，这也意味着未来的数据中心、高性能计算和人工智能应用将受益于这些技术创新，从而实现更高效的数据处理和存储能力。

　　 在三星眼中，HBM4E相比HBM4的主要改进在于采用了32Gb DRAM裸片和将每引脚速度提高到10Gbps：这使得在16Hi堆叠的情况下，单个堆栈的容量可增加至64GB；同时，这也意味着HBM4E的整体带宽将达到HBM4的1.25倍。

　　 下游应用方面，HBM4E内存有望在2027年被英伟达的RubinUltraAI GPU采用。这款GPU支持多达12个HBM4（E）堆栈，这意味着单个加速器的内存容量可能达到惊人的768GB。这一进展不仅展示了英伟达在高性能计算领域的持续领先地位，也预示着未来AI计算能力将迈上新的台阶。随着技术的进步，我们有理由期待在不远的将来，这种高容量、高性能的内存解决方案将更广泛地应用于各种复杂的AI任务中。