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2025
02-24

刷新极限!三星突破LPDDR5X速率天花板,飙升至惊人的12700 MT/s

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jinting
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发布日期:2025年02月24日 18:03:50

刷新极限!三星突破LPDDR5X速率天花板,飙升至惊人的12700 MT/s

超越想象!三星LPDDR5X引领内存革命,速率飙升至12700 MT/s打破行业记录

   2月24日消息,据报道,在ISSCC2025大会上,三星宣布将LPDDR5X的速率从目前的10.7Gbps提升至12.7Gbps,再度刷新了移动内存的性能记录。 这一消息无疑让科技界为之振奋。随着智能手机和其他移动设备对高性能内存的需求不断增加,三星此次的技术突破将进一步满足市场对于更快、更高效能内存的需求。这项进展不仅展示了三星在半导体技术上的持续领先地位,也为未来的移动设备带来了更多可能性。无论是对于追求极致速度的游戏玩家,还是需要快速处理大量数据的专业人士,这样的技术进步都将带来显著的优势。

刷新极限!三星突破LPDDR5X速率天花板,飙升至惊人的12700 MT/s

   这项突破性进展得益于两项专有的电路级技术:“四相自校准环路”和“AC耦合收发器均衡技术”。这些创新技术不仅显著提升了内存性能,还为未来的移动设备提供了更为坚实的基础。随着科技的不断进步,我们有理由相信,这样的技术突破将为消费者带来更加高效、稳定且功能丰富的移动设备体验。 这一进展标志着在提升移动设备内存效率方面迈出了重要的一步,预示着未来智能设备将拥有更强的数据处理能力和更高的能效比。这对于整个行业来说是一个积极信号,意味着我们正朝着更加智能化、更高性能的方向迈进。

刷新极限!三星突破LPDDR5X速率天花板,飙升至惊人的12700 MT/s

   LPDDR5X是JEDEC固态技术协会在2021年推出的LPDDR5的可选扩展标准,主要目标是提高性能、减少能耗并增强灵活性。该标准旨在应对5G通信、汽车高分辨率AR/VR及AI边缘计算等领域对内存性能的更高要求。

   三星此次推出的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片,在1.05伏电压下即可实现12700 MT/s的超高传输速率,即使在0.9伏的低电压下也能稳定运行在10700 MT/s。

   这得益于两项关键技术的引入:

   四相自校准循环机制:确保在高速内存接口中,四个内部时钟相位(0°、90°、180°和270°)维持正确的对齐状态,从而有效应对高速数据传输过程中遇到的信号衰减和符号间干扰问题。

   AC耦合收发器均衡技术旨在强化时钟信号,优化接收器性能,并对发射器实施预加重处理,从而进一步提高信号质量。

   三星最新推出的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片,无疑推动了移动内存技术进入了一个崭新时代。这款芯片不仅拥有极高的传输速率,还表现出色的能效比,这将极大地提升未来智能手机、平板电脑和笔记本电脑的性能。用户可以期待在这些设备上享受到更为流畅的使用体验,更强的人工智能计算能力以及更长的电池寿命。 该款芯片的发布,不仅展示了三星在半导体领域的技术领先地位,也预示着移动设备即将迎来一个全新的性能高峰。对于消费者而言,这意味着他们可以期待在不久的将来,能够使用到运行速度更快、功能更强大的移动设备,而这些设备将更加高效地处理复杂任务,同时还能保持较长的续航时间。这对于追求高性能和高效率的用户来说,无疑是极大的福音。

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