突破极限!三星首创双晶圆键合技术,闪存层数飙升至400+层,颠覆业界格局!
2月27日消息,见证历史性的时刻!全球最大的存储设备制造商三星,竟然选择采购中国长江存储的专利技术,以开发未来的产品。在获得授权后,三星立即公布了基于这项技术的成果:400多层堆叠的第十代V-NAND闪存。
和其他传统闪存制造商一样,三星一直将CMOS控制电路置于存储阵列下方,并在同一晶圆上生产。然而,随着层数和存储密度的迅速增长,这种结构变得越来越难以进一步发展。
长江存储的Xtacking晶栈架构是在两片晶圆上分别制造控制电路和存储阵列,之后将它们键合在一起,这样可以显著降低制造难度和成本,并且有利于持续技术升级。
三星的第十代V-NAND,就将引入这种设计。
铠侠/闪迪的闪存从第八代到日前刚发布的第十代,也是类似架构。
长江存储晶栈架构
铠侠最新架构
三星第十代V-NAND将堆叠超过400层(具体数字未公开),夺回世界第一,超过开下刚刚创记录的332层。
首发TLC,单Die容量为1TB(即128GB),其存储密度为每平方毫米28Gb,略低于三星1TB QLC颗粒的每平方毫米28.5Gb,与铠侠第十代的约每平方毫米36.4Gb相比差距更大。这是因为三星更注重堆叠层数而非单纯提高存储密度。
接口传输速度倒是领先,达到了5600MT/s,也就是700MB/s。
因此,只需10颗芯片就能吃满PCIe 4.0 x4,20颗吃满PCIe 5.0 x4,32颗就能吃满PCIe 6.0 x4。
事实上,大多数NAND闪存芯片通常由8个或16个Die组成,因此使用16个Die便可以实现单颗芯片2TB的容量。对于M.2 SSD而言,单面设计可以达到8TB,而双面设计则可支持高达16TB的容量。
当然,因为兼容性问题,双面的并不多见。
按照三星的规划,2030年左右将做到1000层堆叠!
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