全球首款1γ内存问世！美光发布全新产品，AMD、Intel已着手验证

震撼发布！全球首款1γ内存即将改变你的计算体验

　　 3月11日消息，近期，存储巨头美光宣布成功推出1γ（gamma）10nm级DRAM内存，并已开始向Intel、AMD等客户交付1γ DDR5内存样品，成为存储行业内率先实现这一重要里程碑的企业。

　　 据报道，在交付的1γDDR5内存样品中，美光采用了单层EUV（极紫外光刻）技术。此举旨在通过降低EUV的使用频率，加快先进制程内存的大规模生产进程，同时有效控制成本。这一策略显示了美光在追求技术创新与成本效益之间的平衡。通过优化生产工艺，美光不仅能够提升生产效率，还可能在竞争激烈的半导体市场中获得价格优势。这一步骤无疑为其他厂商提供了新的思路，即如何在保持高性能的同时，通过工艺改进实现成本节约。

　　 值得一提的是，DRAM内存行业的工艺节点通常不以具体的纳米数值来标示，而是采用1a、1b、1c或1α、1β、1γ这样的迭代顺序。其中，1a节点大致相当于20纳米，而1γ节点则接近10纳米。

　　 1γ内存是美光首次应用EUV极紫外光刻工艺的产品。相比之下，三星和SK海力士在内存技术的发展中更为倚重EUV技术。三星从2020年开始在DRAM内存制造过程中使用EUV，计划在其第6代1c的10纳米级DRAM内存中采用超过五层的EUV光刻工艺。 

　　 而SK海力士也在2021年导入EUV光刻技术，并计划在下一代1c的10nm级DRAM中采用类似策略。

　　 根据美光的表述，他们在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM节点上已经取得了领先地位，而1γDRAM节点的新进展将进一步促进未来计算平台的创新，这些平台涵盖了从云端、工业、消费类应用到终端侧AI设备（例如AIPC、智能手机和汽车）等多个领域。

　　 美光公司即将推出的1γ DRAM节点技术，将首先在其16Gb DDR5内存产品上应用。这一新技术预计会逐渐推广到美光的整个内存产品线中。这种创新对于提高内存性能和能效有着重要意义，尤其是在当前对高性能计算和数据中心需求日益增长的背景下。随着5G、人工智能和机器学习等技术的发展，对高速、大容量存储的需求也在不断增加，美光的新技术无疑为其客户提供了更多的可能性。这不仅有助于推动半导体行业的技术进步，也可能为未来的智能设备和系统打下坚实的基础。

　　 其中，16GB DDR5 内存的数据传输速率可达到 9200MT/s，相比上一代产品，传输速度提升了大约15%，同时功耗降低了超过20%。单个晶圆的存储密度比上一代提高了30%以上。

　　 目前，AMD、Intel均已开始对1γ内存的技术验证。

　　 AMD服务器平台解决方案工程部门副总裁Amit Goel表示：“我们非常高兴地注意到美光在1γ DRAM技术上的突破，并已经开始对其1γ DDR5内存进行验证工作。” 这样的消息无疑为行业注入了新的活力。随着数据中心需求的不断增长和技术的快速迭代，高性能和高效率的内存解决方案显得尤为重要。美光在这一领域的进展不仅体现了其技术实力，也为AMD提供了更多的可能性。这表明两家公司在推动技术创新和满足市场需要方面都迈出了重要的一步。未来，我们期待看到更多基于这种先进内存技术的产品问世，从而进一步提升服务器性能和能效。

　　 我们正通过下一代AMD EPYC（霄龙）数据中心产品以及全面的消费级处理器系列，不断推动计算生态系统的进步，因此与美光的密切合作显得尤为重要。 这种合作关系不仅有助于加速技术创新，还将为未来的计算需求奠定坚实的基础。AMD 和美光的合作能够确保硬件的性能与可靠性，从而更好地满足市场的需求。在当前快速发展的技术环境中，这样的合作对于推动整个行业向前发展具有重要意义。

　　 英特尔内存与IO技术副总裁兼总经理DimitriosZiakas博士表示：“美光的1γ节点技术进步为英特尔的服务器和AI处理器提供了显著的功耗和容量优化。我们对美光在DRAM技术上的持续创新感到非常兴奋，并期待利用这些优势进一步提升服务器系统的性能和PC的续航能力。”

　　 英特尔正通过其严格的服务器验证流程，对美光1γ DDR5内存样品进行验证，旨在为客户提供高品质、性能卓越的服务器系统。 这一举措不仅彰显了英特尔对产品质量的严格把控，也体现了其对技术创新的不懈追求。通过与美光的合作，两家公司共同致力于推动服务器技术的发展，确保用户能够获得更加稳定可靠的产品。这不仅是对当前市场需求的积极回应，也为未来的数据中心建设奠定了坚实的基础。