三星瞄准2nm市场！首台ASML High NA EUV光刻机投资5000亿韩元，加速追赶台积电

三星发力2nm技术赛道，重磅投资5000亿韩元加速追赶台积电！

　　 3月12日消息，韩媒FNnews昨日（3月11日）报道，三星电子本月早些时候在华城园区引进了ASML生产的HighNA极紫外光刻（EUV）设备。此举旨在增强其在2纳米及更先进制程上的竞争力。 三星电子此次引入的先进设备表明，该公司正积极布局未来半导体技术的发展，力求在全球芯片制造领域保持领先地位。随着半导体工艺不断向更小节点推进，EUV技术的应用显得愈发重要，这不仅反映了三星电子对未来市场的战略规划，也体现了其在高端芯片制造领域的持续投入与创新。

　　 ASML的HighNA EUV光刻机“EXE:5000”无疑是目前全球半导体行业中最顶尖的技术成果之一，其单台售价高达5000亿韩元（约合24.88亿元人民币），堪称科技领域的“天价神器”。这款设备通过大幅提升光学系统的性能，将数值孔径（NA）从传统的0.33升级到0.55，不仅实现了更精细的光刻精度，也为2纳米及以下先进制程提供了不可或缺的关键技术支持。 在我看来，这不仅是ASML技术实力的集中体现，更是整个半导体产业迈向更高技术水平的重要里程碑。在当前全球化竞争日益激烈的背景下，这类高端设备的研发与应用，不仅推动了芯片制造工艺的进步，也对全球供应链格局产生了深远影响。同时，这也提醒我们，在追求技术创新的同时，如何平衡成本控制与市场接受度，将是未来相关企业需要面对的一大挑战。总之，“EXE:5000”的问世，让我们看到了人类在微纳制造领域所取得的巨大成就，同时也预示着未来更多可能性的到来。

　　 与现有的EUV设备相比，HighNA EUV能够实现更精细的电路线宽，进而降低功耗并提高数据处理速度。自去年起，三星已经开始评估该设备的工艺应用，计划将其应用于下一代半导体制造。

　　 三星电子计划在完成设备安装后，全面构建 2 纳米工艺生态系统。三星晶圆代工业务部负责人韩镇万强调，尽管公司在环绕栅极（GAA）工艺转换上领先，但在商业化方面仍需加速，2 纳米工艺的快速量产是其首要任务。

　　 全球半导体巨头正在竞相引入High-NA EUV设备，以保持技术领先优势。英特尔（Intel）在2023年率先采购了ASML的首台High-NA EUV设备，并已签订合同购买总计六台。据路透社报道，英特尔的前两台High-NA EUV设备已经投入生产，每季度可以处理三万片晶圆。 可以看出，随着半导体技术的不断进步，各大公司对于高端制造设备的需求也在日益增加。英特尔作为行业领导者，其在High-NA EUV设备上的投资不仅体现了对先进制程技术的追求，也表明了对未来市场发展的积极预期。这种对尖端技术的持续投资将有助于推动整个行业的技术革新和发展。

　　 据媒体报道，英特尔有望率先采用EXE:5200设备来支持其14A制程节点的开发，而台积电预计将在2028年开始High-NA技术的量产工作。

　　 根据TrendForce的统计，2023年第四季度，三星在全球晶圆代工市场的排名仍为第二位，但其当季收入较上一季度减少了1.4%，达到32.6亿美元，市场占有率为8.1%。与此同时，台积电以67%的市场份额继续稳居行业龙头地位。

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