三星计划2030年挑战NAND存储巅峰！长江存储专利技术助力打造1000层壮丽成就

携手长江存储，三星挑战NAND存储巅峰，共创1000层存储新辉煌

　　 2月26日消息，随着NAND闪存技术的竞争日益加剧，三星电子在其最新公布的路线图中透露，计划在2030年前开发出1000层的NAND闪存技术。这一目标不仅展示了三星在存储技术领域的雄心壮志，也反映了全球科技公司为争夺市场主导地位而进行的不懈努力。随着数据存储需求的不断增长，这样的技术突破对于满足未来数据中心和消费电子产品的需求至关重要。三星的这一计划无疑将推动整个行业向前迈进，并可能重新定义未来的存储标准。

　　 三星计划引入一种名为“多BV”（multi-BV）的NAND结构，通过堆叠四片晶圆来突破当前的技术限制。这种创新技术有望显著提升存储密度和性能，从而在竞争激烈的半导体市场中占据更有利的位置。此外，多BV技术的应用也可能推动整个行业向更高层次发展，促进更多技术创新。

　　 三星电子DS部门首席技术官宋在赫（Song Jae-hyuk）透露，三星将采用晶圆键合技术，分别制造外围晶圆和单元晶圆，然后将它们键合在一起形成单一的半导体，这种技术预计将在三星的V10（第10代）NAND中首次应用。

　　 此前，三星在NAND闪存生产过程中采用了COP（Chip-On-Plastic）技术，即在一块晶圆上放置外围电路，然后再将存储单元堆叠在其上。然而，随着技术的发展，层数不断增加，这使得底层的外围电路承受了更大的压力，从而可能影响整体的可靠性。 这种技术路径反映了半导体行业对于提高存储密度和缩小设备尺寸的不懈追求。虽然COP技术为实现更高的存储容量提供了可能性，但也带来了新的挑战，特别是在保证产品长期稳定性和可靠性方面。如何在提升技术规格的同时确保产品质量，将是未来技术发展的重要课题。

　　 三星公司为了追求更高层次的发展，宣布将与长江存储进行深度合作，计划自V10 NAND起采用长江存储的混合键合专利技术。此举不仅显示了三星对于技术创新的高度重视，同时也表明了其愿意与其他企业合作以推动行业进步的态度。通过与长江存储的合作，三星有望在存储技术领域取得新的突破，这无疑将对整个半导体行业产生积极的影响。

　　 据ZDNet报道，三星计划于2025年下半年启动生产V10 NAND，该产品的层数预计将介于420到430层之间。

　　 除了晶圆键合技术外，三星还计划在未来NAND生产中引入多项核心技术，包括低温刻蚀工艺和钼材料的应用，这些技术将从400层NAND闪存开始采用。