三星计划在2025年下半年采用中国存储专利技术生产芯片

三星加速向中国存储技术迈进，2025年将采用中国专利技术生产芯片

　　 2月27日消息，据国外媒体报道，三星计划在今年下半年开始采用中国存储专利技术来生产相关芯片。

　　 近期，三星电子已与中国存储芯片制造商长江存储达成协议，授权其使用用于开发超过400层堆叠NAND闪存所需的“混合键合”技术的专利。

　　 据知情人士透露，三星预计在2025年下半年开始生产下一代V10 NAND闪存，该技术将采用长江存储的专利，特别是在“混合键合”技术上有所应用。

　　 三星选择从长江存储获得“混合键合”专利授权，主要是因为目前长江存储在该技术领域处于全球领先地位。三星经过评估后认为，自下一代V10 NAND起，其产品已不可避免地受到长江存储专利的影响。

　　 对于中国存储行业而言，这确实是一个令人鼓舞的消息。我们见证了从落后到逐步赶超的历程，这也侧面反映了中国在科技自主创新方面取得的显著成就。 这一进展不仅展示了中国企业在技术上的突破，还体现了国家对科研创新的持续投入和支持。在全球竞争激烈的背景下，这样的进步无疑增强了中国在全球科技舞台上的影响力。同时，这也激励着更多企业投入到自主研发和技术革新的进程中，为未来的科技进步奠定坚实的基础。